首页 >新闻 > 科技 > 内容

美光16Gb 1z级DDR4内存进入量产阶段

科技 2019-11-28 19:27:31

美光本周开始量产1Z纳米制程的16Gb DDR4产品。

在宣布这一进展时,美光表示,其1Z nm 16Gb DDR4产品与上一代1Y nm节点相比,提供了“更高的比特密度”、性能增强和更低的成本。

1X、1Y和1Z是内存行业的标准术语,分别表示第一代、第二代和第三代10 nm级进程。正如Guru3D所强调的,“1X可能意味着19到17纳米,1Y可能意味着16到14纳米,1Z可能意味着13到10纳米。”

美光科技负责技术开发的执行副总裁Scott DeBoer表示:“行业中最小特征尺寸DRAM节点的开发和大规模生产证明了美光的世界级工程和制造能力,特别是在DRAM扩展变得极其复杂的时候。”

这家内存制造商还宣布,它正在批量运送基于ufsmulti - chip packages (uMCP4)的16Gb低功耗双数据速率4X (LPDDR4X) DRAM,为移动设备制造商寻求更小的封装,更低的功耗要求,以提高电池寿命。

三星今年3月宣布,其1Z-nm 8Gb DDR4将在今年下半年量产,以适应定于2020年推出的高端个人电脑和企业服务器。

郑重声明:本文版权归原作者所有,转载文章仅为传播更多信息之目的,如作者信息标记有误,请第一时候联系我们修改或删除,多谢。